Simultane Beleuchtungshomogenisierung in Objekt- und Bildfeld - eine triviale Angelegenheit?

Die zuverlässige Erkennung u.a. von Makrodefekten (Defektgrößen > 10µm) auf strukturierten Wafern während des Herstellungsprozesses ist für die Realisierung komplexer mikroelektronischer Bauteile zwingend erforderlich. In der Leica LDS3300 wird dafür der gesamte Wafer abschnittsweise mit einer RGB-CCD Kamera/Objektivkombination abgebildet und anschließend verschiedene Teilbereiche miteinander verglichen. Für eine zuverlässige Defekterkennung im Hellfeld spielt nicht nur die Helligkeit und die Homogenität des beleuchteten Feldes auf dem Wafer eine große Rolle. Viel mehr muss die Auflichtbeleuchtung sicherstellen, dass der homogen beleuchtete Waferbereich auch homogen in die Ebene des Kamera-Chips abgebildet wird. Im Vortrag wird ausführlich auf das verwendete Auflichtbeleuchtungsmodul bestehend aus Lichtleiter, Kollimator, Zylinderlinsenarrays und Fourieroptik eingegangen. Es wird diskutiert, welche Eigenschaften die verschiedenen Komponenten erfüllen müssen, damit die gesteckten Ziele erreicht werden können. Die vorgestellten Resultate strahlenoptischer Simulationen werden mit experimentellen Ergebnissen verglichen.