Streulicht- und Reflexionsmesstechnik für 13,5 nm

Die Halbleiterlithographie erfordert den Einsatz immer kürzerer Wellenlängen zur stetigen Reduzierung der Strukturgrößen. Hauptkandidat für die Technologie der nächsten Generation ist die EUV-Lithographie bei 13,5 nm im extrem ultravioletten (EUV) Spektralbereich. Dazu sind optische Komponenten mit geringen Verlusten und hoher Abbildungsqualität erforderlich. Insbesondere rauheitsinduziertes Streulicht spielt wegen der extrem starken Wellenlängenabhängigkeit eine kritische Rolle. Streulicht führt einerseits zu verringerter Reflexion. Andererseits beeinflusst Nahwinkelstreuung kritisch den Abbildungskontrast. Zur Charaktersierung von EUV-Komponenten bei der Einsatzwellenlänge wurde ein Laborsystem zur hochsensitiven winkelaufgelösten Streulicht- und Reflexionsmessung bei 13,5 nm entwickelt. Das im Vakuum betriebene Messsystem basiert auf einer Xe-Plasma-Quelle, einem Strahlaufbereitungssystem und einem Doppelgoniometer. Ergebnisse von Untersuchungen an Mo/Si-Vielschichtsystemen werden vorgestellt. Der Einfluss von Substratpolitur und Beschichtung, sowie von Kontaminations- und Degradationseffekten auf die Streulicht- und Reflexionseigenschaften werden diskutiert.