Lokalität von Quellen und Senken in der exakten optischen Simulation

Die Betrachtung lokaler Effekte ist in der Mikro- und Nanooptik von zunehmender Bedeutung. Alle Fourier-Modalen Verfahren, wie die Mehrschichtheorie und die RCWA nehmen eine unendlich ausgedehnte Planwelle als Lichtquelle an. Für die Einführung von Lokalität ist eine Mehrmodenbehandlung bezüglich der Lichtquelle erforderlich. Dabei erweist sich die Aufteilung in TE- und TM Polarisation als ungünstig. Daher wurde eine alternative Behandlung durch kartesische Zerlegung der Felder entwickelt. Auch beim RCWA-Algorithmus ist das Anregungslicht auf eine Planwelle beschränkt. Die wenigen bisherigen Ansätze, das Verfahren auf beliebige Eingangsverteilungen zu erweitern, waren stets von einem enormen Anstieg des Rechenaufwands begleitet. In diesem Vortrag sollen neue Verfahren für die effiziente Behandlung der Lokalität von Quellen und Senken dargestellt werden. Von besonderem Interesse sind die Fokussierung und die, in der Lithographie eine wichtige Rolle spielende hochaperturige Abbildung.