Herstellung von (komplex) periodischen Strukturen durch Talbot-Lithografie mit kompakten EUV-Quellen

Dichte periodische Nanostrukturen mit Strukturgrößen unter 100 nm sind für zahlreiche industrielle und wissenschaftliche Anwendungen unerlässlich, sowohl für die Qualifizierung von Fotolacken als auch für die Herstellung von Metamaterialien, Biosensoren, Quantenpunkt-Arrays oder künstlichen Kristallen. Für diese Anwendungen sind kompakte Nanostrukturierungsanlagen unter Verwendung von extrem-ultravioletter (EUV) Strahlung eine vielversprechende Option. Die an der RWTH Aachen entwickelte kompakte EUV-Belichtungsanlage verwendet eine plasmabasierte EUV-Strahlungsquelle für großflächige Nanostrukturierung mit sub-30 nm Auflösung. In dieser Präsentation wird neben der allgemeinen Funktionsweise der Talbot-Lithografie eine rigorose simulative und experimentelle Bewertung von effizienten phasenschiebenden Transmissionsmasken gezeigt. Ziel ist es, sowohl die Auflösung als auch die Komplexität der Strukturanordnungen durch Optimierung der Maskengeometrie und des Materialsystems schrittweise zu erhöhen. Diese Entwicklungen ermöglichen einen kompakten EUV-Belichtungsaufbau, der vielseitig für großflächige Nanostrukturierungen in diversen wissenschaftlichen Bereichen genutzt werden kann.