Einfluss von Polarisation, Einfallswinkel und Materialkonstanten bei der Dunkelfeldmikroskopie mit alternierender Beleuchtung bei streifendem Einfall

Die Dunkelfeldmikroskopie mit alternierender, streifender Beleuchtung, die bei der PTB entwickelt wurde, bietet die Möglichkeit der Messung von Strukturen unterhalb der optischen Wellenlänge. Mit dieser wechselseitigen Beleuchtung lässt sich der optische Proximity-Effekt effizient unterdrücken. Anwendung findet diese Methode in der dimensionellen Messtechnik von Mikro- und Nanostrukturen, z. B. bei der CD-Messung von Wafern und Photomasken. Experimentelle Untersuchungen haben gezeigt, dass die Messung von Strukturbreiten entscheidend vom Einfallswinkel und der Polarisation der Beleuchtung sowie von den verwendeten Materialienkonstanten abhängt. Anhand von systematischen, rigorosen Simulationsrechnungen an Teststrukturen wird gezeigt, welchen Einfluss Polarisation, Einfallswinkel und Materialien (z. B. Leiter oder Dielektrikum) auf die Messung von Strukturbreiten haben. Die Simulationsergebnisse werden exemplarisch mit Messungen verglichen.