Streulichtmesstechnik für 193 nm und 13,5 nm

Optische Anwendungen bei kurzen Wellenlängen haben in den letzten Jahren enorm an Bedeutung gewonnen. Einer der wichtigsten Antriebe dabei ist der anhaltende Trend der optischen Lithographie zu immer kürzeren Wellenlängen. Aktuelle Forschungsschwerpunkte sind die weitere Optimierung der 193 nm Lithographie und gleichzeitig die Entwicklung der EUV-Lithographie bei 13,5 nm bis hin zur Anwendungsreife. Während dabei immer höhere Anforderungen an die erforderlichen optischen Komponenten gestellt werden, haben störende Effekte wie die Lichtstreuung aufgrund der starken Wellenlängenabhängigkeit und gleichzeitig schwieriger herzustellende Materialien und Schichten einen zunehmend kritischen Einfluss. Ein am Fraunhofer IOF entwickeltes Messsystem ermöglicht hochsensitive totale und winkelaufgelöste Streulichtmessungen bei 193 nm. Untersuchungen an Schichtsystemen für 193 nm werden diskutiert. Darüber hinaus wird ein neuentwickeltes System für 13,5 nm vorgestellt.