Über die Verminderung der Depolarisation in einem DUV-Objektiv mit großer numerischer Apertur - eine Fallstudie

Die schrumpfenden Strukturabmessungen in der Halbleiterindustrie machen das Finden und Identifizieren von herstellungsbedingten Defekten in der Waferfertigung immer schwieriger. In [1] wurde gezeigt, daß die Verwendung von polarisiertem Licht eine deutliche Verbesserung des Signal-Rausch-Verhältnisses bei der Detektion von Punktdefekten in Linienstrukturen im Vergleich zu unpolarisiertem Licht ermöglicht. Wegen der begrenzten Zahl von Materialien, die sich für die Verwendung in DUV-Optiken eignen, ist die Herstellung eines polarisationsneutralen DUV-Objektives eine ernsthafte technische Herausforderung. Wir diskutieren eine Reihe von Möglichkeiten zur Beeinflussung der (AR-)Schichteigenschaften, die zu einer wesentlichen Verminderung des Polarisationseinflusses führen, einschließlich einer Betrachtung der Fertigbarkeit. [1] B.-H. Lee et al., Proc. SPIE, Vol. 6152, 61521Q (2006); DOI:10.1117/12.656004