Anwendung der DUV Scatterometrie für die Rekonstruktion der Absorberstrukturen auf komplexen EUV-Masken

Scatterometrie wird als optische Messmethode in vielen Prozessschritten der Halbleiterindustrie wie etwa der Wafer- und Photomasken-Inspektion eingesetzt. Hierbei werden die geometrischen Parameter der prozessierten Strukturen aus der Fernfeld-Streuverteilung mittels nichtlinearer Optimierungsverfahren rekonstruiert. Durch die Notwendigkeit von Multilayer-Systemen bei EUV-Masken erhöht sich die Komplexität der Struktur gegenüber der aktueller 193 nm Lithographiemasken signifikant. Zudem sind die optischen Materialparameter bei der Inspektionswellenlänge und die genauen Schichtdicken oft nur unzureichend bekannt. Für das Optimierungsproblem bedeutet dies eine hohe Dimensionalität. Diesem kann Rechnung getragen werden durch die Kombination verschiedener optischer Messverfahren und die Anwendung hochentwickelter globaler Optimierungsverfahren. Wir demonstrieren am Beispiel einer EUV-Maske, die parallele Auswertung von DUV-Messdaten aus reflektometrischen, ellipsometrischen und scatterometrischen Messungen mit evolutionären und Schwarm-Optimierungsalgorithmen. Die Ergebnisse stimmen mit kürzlich durchgeführten AFM- und EUV-Scatterometriemessungen gut überein.